Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR3410 | 1860 | 44.83 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V |
| Power - Max | 3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 1N4448 | 64000 | 1.60 руб. (от 100 шт. 0.80 руб.) | |
| BAV99 (TRR) | 128000 | 1.18 руб. | |
| BYV26C-TAP | 1280 | 35.90 руб. | |
| P6KE150CA (MIG) | 4 | 14.40 руб. | |
|
IRFR3410 Дискретные сигналы Power Mosfet
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
