Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR3412

Версия для печати Hexfet power mosfets discrete n-channel

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR3412 3 126.72 руб. 

Технические характеристики IRFR3412

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 29A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 48A
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3430pF @ 25V
Power - Max 140W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
AD420ARZ-32 (ANALOG DEVICES) 68 5 930.60 руб. 
LM317T (КИТАЙ) 4800 43.20 руб. 
TL071CD (ST MICROELECTRONICS) 266 55.08 руб. 
IRFR3412
Дискретные сигналы

Smps Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfr3412.pdf
140.13Kb
10стр.