IRFR5305
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 Ohm(max), P=110W, -55 to +175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRFR5305PBF | 2000 | 42.97 |
| IRFR5305TRPBF | 2216 | 84.91 |
Описание IRFR5305
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) в корпусе для планарного монтажа (D-Pak).
Основные характеристики:
Максимальный ток стока 31А
Максимальное напряжение сток-исток 55V
Сопротивление сток-исток (откр.) < 0,065 om
Максимальная мощность рассеивания 110W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе -2..-4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25uA
Время включения/выключения 14/39nS
Время восстановления диода 250nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 1200/520pF (тип.)
КорпусD-pak
Диапазон рабочих температур -55..+150oC
Технические характеристики IRFR5305
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru