Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR9N20DPBF

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR9N20DPBF (INFINEON) 1040 76.75 руб. 

Технические характеристики IRFR9N20DPBF

Параметр
Значение
Power - Max 86W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.