Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFS4115PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (150V, 99A, 375W 0.0121R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFS4115PBF 50 620.93 руб. 

Технические характеристики IRFS4115PBF

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1 mOhm @ 62A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 195A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5270pF @ 50V
Power - Max 375W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFS4115PbF
MOSFET

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFS4115PbF, IRFSL4115PbF.pdf
386.7 Кб