Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С
Iси макс..А 104
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики S,мА/В 59000
Корпус TO220AB
Пороговое напряжение на затворе 2
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 54A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 104A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRL2505S N-канальные транзисторные модули HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRL2505S
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
