Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLB4030PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 99A, 370W, TO22)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLB4030PBF (INFINEON) 150 654.71 руб. 

Технические характеристики IRLB4030PBF

Параметр
Значение
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 110A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 180A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 130nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 11360pF @ 50V
Power - Max 370W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
CD4050BDR (TEXAS) 956 46.58 руб. 
IRL540NPBF (INFINEON) 6535 131.77 руб. 
IRLB4030PbF
MOSFET

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLB4030PbF.pdf
280.7 Кб