Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRLML6402TR | 1183 | 29.57 руб. | |
IRLML6402TRPBF (INFINEON) | 28000 | 11.81 руб. | |
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 20В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. 3.78А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. 65мОм
Корпус SOT23
Параметр |
Значение |
---|---|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 633pF @ 10V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | Micro3™/SOT-23 |
P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=3.7A@T=25C, Id=2.2A@T=70C, Rds=0.065 R, P=1.3W, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем
|
||