IRLR2905TRPBF

Версия для печати N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W

Наименование	Кол-во	Цена
IRLR2905TRPBF	3200	55.14 руб.

Параметр	Значение
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	42A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 25A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	48nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.