Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLR3110ZPBF

Версия для печати Транзистор N-канальный MOSFET

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLR3110ZPBF (INFINEON) 22 236.16 руб. 

Технические характеристики IRLR3110ZPBF

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 38A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 42A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3980pF @ 25V
Power - Max 140W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRLR3110ZPBF
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR3110ZPBF.pdf
739.3 Кб