Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
NDS331N (ONS) | 3415 | 28.70 руб. | |
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 162pF @ 10V |
Power - Max | 460mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | 3-SSOT |
Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
CC0603JRX7R9BB103 (YAGEO) | 145084 | 1.90 руб. (от 100 шт. 0.95 руб.) | |
DHR-62F | 2 | 310.80 руб. | |
PBD2-16 (PBD2-2X8) 2.00 MM | 3250 | 18.74 руб. | |
RC0402JR-07680RL (YAGEO) | 149040 | 1.70 руб. (от 1000 шт. 0.17 руб.) | |
RC0805FR-078K2L (YAGEO) | 48623 | 1.30 руб. (от 100 шт. 0.65 руб.) | |
NDS331N MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
||