NTR1P02LT1G
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| NTR1P02LT1G (ONS) | 2348 | 38.79 |
Технические характеристики NTR1P02LT1G
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 750mA, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 225pF @ 5V |
| Power - Max | 400mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru