Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

NTR1P02T1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
NTR1P02T1G (ONS) 1079 24.39 руб. 

Технические характеристики NTR1P02T1G

Параметр
Значение
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 165pF @ 5V
Power - Max 400mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
0805 56 КОМ 5% (UNIOHM) 8000 0.75 руб. (от 500 шт.  0.25 руб.)