Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2302CDS-T1-E3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI2302CDS-T1-E3 (VISHAY) 2406 36.28 руб. 

Описание SI2302CDS-T1-E3

MOSFET N-CH 20V SOT-23

Технические характеристики SI2302CDS-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Power - Max 710mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.