Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI7489DP-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI7489DP-T1-GE3 (VISHAY) 90 229.33 руб. 

Описание SI7489DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC

Технические характеристики SI7489DP-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 7.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 28A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 160nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4600pF @ 50V
Power - Max 83W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) PowerPAK® SO-8
Корпус PowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


si7489dp.pdf