Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STP4NK80Z

Версия для печати Полевой транзистор

Наименование
Кол-во
Цена
 
STP4NK80Z (ST MICROELECTRONICS) 1 307.01 руб. 

Технические характеристики STP4NK80Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 575pF @ 25V
Power - Max 80W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
STP4NK80Z
MOSFET

N-channel 800V - 3? - 3A - TO-220 Zener - Protected SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP4NK80Z.pdf
544.8 Кб