Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STP5NK100Z

Версия для печати Транзистор N-канальный +Z-Dio 1000V 3,5A 125W 3,7R

Наименование
Кол-во
Цена
 
STP5NK100Z (ST MICROELECTRONICS) 393 335.91 руб. 

Технические характеристики STP5NK100Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 1.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1154pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SK2545 (TOSHIBA) 80 145.15 руб. 
BAR43CFILM (ST MICROELECTRONICS) 7402 10.80 руб. 
BYG23M-E3/TR (VISHAY) 4259 26.00 руб. 
RC0805FR-07475RL (YAGEO) 34182 1.52 руб. (от 100 шт.  0.76 руб.)
STP5NK100Z
MOSFET

N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP5NK100Z, STF5NK100Z, STW5NK100Z.pdf
439.2 Кб