Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

ZXMN10A11GTA

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
ZXMN10A11GTA (DIODES) 800 84.77 руб. 

Описание ZXMN10A11GTA

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Технические характеристики ZXMN10A11GTA

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 2.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 274pF @ 50V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


ZXMN10A11G.pdf