2N7002DW
Dual n-channel enhancement mode field effect transistorНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| 2N7002DW | 9600 | 2.71 |
Технические характеристики 2N7002DW
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru