Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSS138DW

Версия для печати Dual n-channel enhancement mode field effect transistor

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSS138DW (GALAXY ME) 3123 5.80 руб. 

Технические характеристики BSS138DW

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 220mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 200mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 50pF @ 10V
Power - Max 200mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BSS138DW
MOSFET

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

BSS138DW.pdf
197.8 Кб