IRF7105

Версия для печати N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, Rds=0.10/0.25 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd.

Наименование	Кол-во	Цена
IRF7105TRPBF	2960	45.55 руб.

Описание IRF7105

Микросхема IRF7105 сборка из двух полевых транзисторов IRF7105 может применяться для управления относительно мощной нагрузкой например маломощный коллекторный двигатель. Так же для управления шаговыми двигателями, как униполярными так и биполярными. Малогабаритный корпус SOIC 8 дает возможность применять микросхему IRF7105 в миниатюрных устройствах.

Технические характеристики IRF7105

Параметр	Значение
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N and P-Channel
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A, 2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LXE1710

N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, Rds=0.10/0.25 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd.

Также в этом файле: IRF7105

Производитель:
Microsemi Corporation
//www.microsemi.com

irf7105.pdf
302,79kB
11стр.