IRF7307

Версия для печати N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd.

Наименование	Кол-во	Цена
IRF7307TR (UMW)	2400	40.15 руб.

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A, 4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	660pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7307
N/P-канальные транзисторные модули

N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd.

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7307pbf.pdf
282,14kB
10стр.