Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF7319

Версия для печати N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A/4.9A@T=25C, Id=5.2A/3.9A@T=70C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7319 2080 27.06 руб. 

Технические характеристики IRF7319

Параметр
Значение
Power - Max 2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.5A, 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5.8A, 10V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SC5707 (SANYO) 5 232.56 руб. 
LMV324IDR 5386 18.17 руб. 
IRF7319
N/P-канальные транзисторные модули

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7319.pdf
139.15Kb
10стр.