IRF8910TRPBF


Наименование
Кол-во
Цена
IRF8910TRPBF 1520 86.52

Технические характеристики IRF8910TRPBF

Параметр
Значение
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 960pF @ 10V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru