Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF9362TRPBF (INFINEON) | 4928 | 95.37 руб. | |
Параметр |
Значение |
---|---|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
![]() | Р В РЎв„ў561Р В РЎв„ўР В РЎС›3 НапряженРСвЂР В Р’Вµ Р С—Р СвЂР ЎвЂљР В°Р Р…Р СвЂР РЋР РЏ     3-15 Р’РўРѕРє потребленРСвЂР РЋР РЏ РїСЂРцнапряженРСвЂР  С†Р С—Р СвЂР ЎвЂљР В°Р Р…Р СвЂР РЋР РЏ 10 Р В РІР‚в„ў     0,2 Р В РЎВАМаксРСвЂР В РЎВальный ... 15.12 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | NTD20N06 Power mosfet 20 amps, 60 volts, n?channel dpak РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | AD5612 10-разряРТвЂР  Р…ый nanoцап Р РЋР С“ i2c-СЃРѕРІРСВестРСвЂР В РЎВР РЋРІР‚в„–Р В РЎВ Р В РЎвЂР  Р…терфейсоРѠРцРїРСвЂР ЎвЂљР В°Р Р…Р СвЂР  ВµР С 2,7-5,5РІРљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |