Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFI4212H-117P

Версия для печати Hexfet power mosfets dual n-channel

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFI4212H-117P (INFINEON) 158 124.80 руб. 

Технические характеристики IRFI4212H-117P

Параметр
Значение
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 11A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 490pF @ 50V
Power - Max 18W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-5 Full Pack
Корпус TO-220-5 Full-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1N4148W 64800 1.16 руб. (от 100 шт.  0.58 руб.)
1N4448W 86400 1.20 руб. 
MUR120RLG (ONS) 19 34.24 руб. 
TIP31C 1760 32.54 руб. 
IRFI4212H-117P
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFI4212H-117P.pdf
254 Кб