Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BD135 (ST MICROELECTRONICS) | 1106 | 49.38 руб. | |
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 12 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 1 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 40
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-225-3 |
| Корпус | TO225AA |
|
Транзистор NPN 45V 1,5A 12,5W B:40-250
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
