Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

Si7232DN-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI7232DN-T1-GE3 (VISHAY) 5 137.67 руб. 

Технические характеристики Si7232DN-T1-GE3

Параметр
Значение
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 25A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Серия TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs 32nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1220pF @ 10V
Power - Max 23W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) PowerPAK® 1212-8
Корпус PowerPAK® 1212-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.