2SB649

Версия для печати Биполярный транзистор PNP 180V, 1.5A, 1W, 140MHz (Comp. 2SD669)

Наименование	Кол-во	Цена
2SB649 (JSCJ)	762	22.60 руб.

Описание 2SB649

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 20 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 120 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 1.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 60
Корпус: TO126

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для 2SB649

Наименование	Кол-во	Цена
2SD669	2480	10.45 руб.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
1N4148 (DIOTEC)	173945	3.15 руб.
2N5401	9080	1.36 руб.
2N5551	9600	1.46 руб.

2SB649
Универсальные биполярные PNP транзисторы

Silicon PNP Epitaxial

Также в этом файле: 2SB649A

Производитель:
Hitachi Semiconductor
//www.hitachi.com

2sb649.pdf
38.48Kb
8стр.