Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FDD850N10L

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
FDD850N10L (ONS) 254 160.75 руб. 

Описание FDD850N10L

MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3

Технические характеристики FDD850N10L

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия PowerTrench®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 15.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 28.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1465pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус TO-252, (D-Pak)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FDD850N10L.pdf