Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FQD17P06TM

Версия для печати Транзистор MOSFET , P- канальный , 60В, 12А

Наименование
Кол-во
Цена
 
FQD17P06TM (ONS) 96 203.04 руб. 

Описание FQD17P06TM

Транзистор MOSFET , P- канальный
Напряжение сток - исток  60В
Ток стока  12А
Сопротивление канала 135мОм
Напряжение затвор исток   25В
Время выключения / включения  22/13 нс
Мощность рассеиваемая 2.5Вт
Диапазон температур  - 55 ... 150оС
DPAK

Технические характеристики FQD17P06TM

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Lead Dimension Change 23/Jan/2007
Серия QFET™
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 900pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQD17P06.pdf