Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

← | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | →
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
2Т933Б 80 140.76 руб. 
2Т933Б 80 134.64 руб. 
2Т980Б 		38 6 825.00 руб. 
2ТС398А-1 		80 58.14 руб. 
3П325А-2 266 Заказ радиодеталей
3П326А-2 		1 535 60.00 руб. 
3П339А-2 		94 105.60 руб. 
ГТ108А 		266 36.72 руб. 
ГТ403В 		80 48.96 руб. 
ГТ905А 266 189.72 руб. 
КП303А Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 12 337 28.80 руб. 
КП303Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей 880 141.70 руб. 
КП303Д Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе управляющего p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты частот с высоким входным сопротивлением 800 55.08 руб. 
КП303Е Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 200Вт, 25В, 20мА 9 610 36.00 руб. 
КП303Ж Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 20 418 24.00 руб. 
КП307А Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа для применения во вх. и вых. каскадах усилителей выс.и низ.частот с высоким вх. сопр. 499 36.00 руб. 
КП307Б 879 36.00 руб. 
КП307Б1 		800 36.72 руб. 
КП307Е никель 1 464 36.00 руб. 
КП308В-1 		242 24.00 руб. 
КП364А 193 35.70 руб. 
КП501В 		266 30.60 руб. 
КП502А 		1 735 40.80 руб. 
КП508А Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, эпитаксиально-планарные , оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом. 1 795 38.40 руб. 
КП707В2 (BUZ90) 3 168.00 руб. 
КП785А 		80 373.32 руб. 
КП813Б 		8 403.92 руб. 
КП948Б 		2 169 24.00 руб. 
КТ201АМ 800 18.36 руб. 
КТ209В 1 272 7.20 руб. 
КТ209Е 4 280 10.56 руб. 
КТ209Ж 800 20.20 руб. 
КТ209К Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ п 1 760 18.72 руб. 
КТ209Л 12 432 5.30 руб. 
КТ209М 1 880 10.56 руб. 
КТ219А 		24 22.39 руб. 
КТ3102АМ Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц 15 829 13.20 руб. 
КТ3102ВМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный 2 647 10.56 руб. 
КТ3102ДМ 800 15.91 руб. 
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, 250Вт, 200МГц 6 781 14.88 руб. 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц 3 034 14.40 руб. 
КТ3107В Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p 8 206 4.80 руб. 
КТ3107Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах 21 250 4.80 руб. 
КТ3107Д Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, 0.3Вт, 30В, 0.1 А, 200МГц 2 994 4.80 руб. 
КТ3107Е Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p 3 616 4.80 руб. 
КТ3107Ж Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах 13 333 4.80 руб. 
КТ3120АМ 644 28.80 руб. 
КТ315И1 266 20.20 руб. 
КТ3165А 266 20.20 руб. 
КТ316А 1 537 36.00 руб. 
 
 
 
 
 
← | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | →